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HEF4001BT,653、BZV55-B5V6,115、MC14001BDG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HEF4001BT,653 BZV55-B5V6,115 MC14001BDG

描述 NXP  HEF4001BT,653  或非门, HEF4000系列, 4门, 2输入, 2.4 mA, 4.5V至15.5V, SOIC-14NXP  BZV55-B5V6,115  单管二极管 齐纳, 5.6 V, 400 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °CON SEMICONDUCTOR  MC14001BDG  或非门, 4门, 2输入, 8.8 mA, 3V至18V, SOIC-14

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 逻辑芯片齐纳二极管逻辑芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 2 14

封装 SOIC-14 SOD-80 SOIC-14

电源电压(DC) 3.00V (min) - 3.00V (min)

工作电压 - - 3V ~ 18V

无卤素状态 - - Halogen Free

输出接口数 1 - 1

输出电流 2.4 mA - 8.8 mA

供电电流 - - 30 μA

电路数 4 - 4

针脚数 14 2 14

静态电流 - - 1.50 nA

逻辑门个数 4 - 4

输入数 2 - 2

工作温度(Max) 125 ℃ 200 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -65 ℃ -55 ℃

电源电压 3V ~ 15V - 3V ~ 18V

电源电压(Max) 15 V - 18 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

容差 - ±2 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 - 400 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 5.6 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率(Max) - 500 mW -

长度 8.75 mm 3.7 mm 8.75 mm

宽度 4 mm 1.6 mm 4 mm

高度 1.45 mm 1.6 mm 1.5 mm

封装 SOIC-14 SOD-80 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -65℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 125℃

温度系数 - 1.2 mV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99