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TLC277IDG4、TLC277IDRG4、TLC272AID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC277IDG4 TLC277IDRG4 TLC272AID

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLC277IDG4  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLC272AID  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 18.0 V - 16.0 V

输出电流 - - ≤30 mA

供电电流 1.4 mA 1.4 mA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - 8

耗散功率 0.725 W 0.725 W 725 mW

共模抑制比 65 dB 65 dB 65dB ~ 80dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K 1.80 µV/K

带宽 1.7 MHz 1.70 MHz 1.7 MHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 2.2 MHz 2.2 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 250 µV 250 µV 900 µV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 125 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

增益带宽 1.7 MHz - 2.2 MHz

耗散功率(Max) - - 725 mW

共模抑制比(Min) - - 65 dB

电源电压 4V ~ 16V - 4V ~ 16V

电源电压(Max) 16 V - 16 V

电源电压(Min) - - 4 V

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15