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BC858C、BC858CLT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858C BC858CLT1G

描述 BC858C PNP三极管 -30V -100mA/-0.1A 150MHz 420~800 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 3L 开关/AF放大器ON SEMICONDUCTOR  BC858CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-23 SOT-23

耗散功率 - 300mW

增益频宽积 - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

耗散功率(Max) - -

额定功率 0.31 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30.0 V

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V -

额定电压(DC) - -30.0 V

额定电流 - -100 mA

极性 - PNP, P-Channel

集电极最大允许电流 - 0.1A

封装 SOT-23 SOT-23

材质 - -

工作温度 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99