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5KP30A-G、A5KP30A-G、5KP30A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 5KP30A-G A5KP30A-G 5KP30A

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 5000W VRWM=30V,UnidiTvs Diode 30vwm 48.4vc r-6瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENER

数据手册 ---

制造商 Comchip Technology (上华科技) Comchip Technology (上华科技) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 R-6-2 R-6 P-600

工作电压 30 V - -

击穿电压 33.3 V - -

耗散功率 8 W - -

钳位电压 48.4 V 48.4 V 48.4 V

测试电流 1 mA 5 mA 5 mA

脉冲峰值功率 5000 W 5000 W 5000 W

最小反向击穿电压 33.3 V 33.3 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 500 A -

正向电压(Max) - 3.5 V -

封装 R-6-2 R-6 P-600

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Box (TB) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -