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D44H11FP、MJF44H11G、KSA1142OSTU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D44H11FP MJF44H11G KSA1142OSTU

描述 TO-220FP NPN 80V 10ANPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-126-3

极性 NPN NPN PNP

耗散功率 36 W 36 W 8000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 180 V

集电极最大允许电流 10A 10A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 100 @10mA, 5V

额定功率(Max) 36 W 2 W 1.2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 36000 mW 2000 mW 8 W

频率 - 50 MHz 180 MHz

额定电压(DC) - 80.0 V -180 V

额定电流 - 10.0 A -100 mA

针脚数 - 3 -

热阻 - 3.5℃/W (RθJC) -

直流电流增益(hFE) - 60 -

最大电流放大倍数(hFE) - - 320

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-126-3

长度 - 10.63 mm 8 mm

宽度 - 4.9 mm 3.25 mm

高度 - 16.12 mm 11 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99