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DS1220AB-120、DS1220AD-120、DS1220AB-100+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220AB-120 DS1220AD-120 DS1220AB-100+

描述 IC NVSRAM 16Kbit 120NS 24DIPIC NVSRAM 16Kbit 120NS 24DIPRAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

电源电压(DC) 4.75V (min) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 120 GHz 120 GHz 100 GHz

存取时间 120 ns 120 ns 100 ns

内存容量 2000 B 2000 B 2000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

长度 34.04 mm 34.04 mm 34.04 mm

宽度 18.29 mm 18.29 mm 18.29 mm

高度 9.4 mm 9.4 mm 9.4 mm

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free