FDB8030L、STB80NF10T4、IPB034N03LGATMA1对比区别

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型号 FDB8030L STB80NF10T4 IPB034N03LGATMA1

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8030L  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 1.5 VSTMICROELECTRONICS  STB80NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPB034N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

额定电压(DC) 30.0 V 100 V -

额定电流 80.0 A 80.0 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0031 Ω 12 mΩ 0.0028 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 187 W 300 W 94 W

阈值电压 1.5 V 3 V 1 V

输入电容 10.5 nF - -

栅电荷 120 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 100 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80A

上升时间 185 ns 80 ns 6.4 ns

输入电容(Ciss) 10500pF @15V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 4000pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 187 W 300 W -

下降时间 200 ns 60 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 187W (Tc) 300W (Tc) 94 W

额定功率 - - 94 W

长度 10.97 mm 10.4 mm 10.31 mm

宽度 9.65 mm 9.35 mm 9.45 mm

高度 4.83 mm 4.6 mm 4.57 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -