IRG4BC30W-STRRP、IRG4BC30WSTRR对比区别

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型号 IRG4BC30W-STRRP IRG4BC30WSTRR

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RIGBT D2PAK

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 100 W 100 W

耗散功率(Max) 100000 mW 100 W

额定功率 100 W -

耗散功率 100000 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm -

宽度 9.65 mm -

高度 4.83 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -