IRG4BC30W-STRRP
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定功率 100 W
耗散功率 100000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRG4BC30W-STRRP | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRG4BC30W-STRRP 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-263-3 100000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 | |
型号: IRG4BC30WSTRR 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | IGBT D2PAK | IRG4BC30W-STRRP和IRG4BC30WSTRR的区别 |