FQT13N06、FQT13N06TF、FQT13N06L99Z对比区别

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型号 FQT13N06 FQT13N06TF FQT13N06L99Z

描述 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFETON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06TF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.11 Ω -

耗散功率 - 2.1 W -

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

上升时间 - 25 ns -

输入电容(Ciss) - 240pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.1 W -

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.1 W -

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 2.8A - -

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 3.56 mm -

高度 - 1.6 mm -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - -

含铅标准 - Lead Free -