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FQT13N06
Fairchild 飞兆/仙童 电子元器件分类

60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Features

• 2.8 A, 60 V, RDSon=140 mΩMax. @VGS=10 V, ID=1.4 A

• Low Gate Charge Typ. 5.8 nC

• Low Crss Typ. 15 pF

• 100% Avalanche Tested

FQT13N06中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2.8A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Unknown

FQT13N06引脚图与封装图
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FQT13N06 Fairchild 飞兆/仙童 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET 搜索库存
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型号: FQT13N06

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装:

当前型号

60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET

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型号: FQT13N06TF

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