FQB19N10LTM、IRLW530ATM、IRLW530A对比区别

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型号 FQB19N10LTM IRLW530ATM IRLW530A

描述 N沟道 100V 19ATrans MOSFET N-CH 100V 14A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R Trans MOSFET N-CH...Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Samsung (三星)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 19.0 A 14.0 A -

通道数 1 - -

漏源极电阻 74 mΩ 120 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 3.75 W 62 W -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 19.0 A 14.0 A -

上升时间 410 ns 11 ns -

输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 3.75 W - -

下降时间 140 ns 15 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 75W (Tc) - -

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -