FQB19N10LTM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB19N10LTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 19.0 A
通道数 1
漏源极电阻 74 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.75 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 19.0 A
上升时间 410 ns
输入电容Ciss 870pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
下降时间 140 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.75W Ta, 75W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB19N10LTM引脚图与封装图
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在线购买FQB19N10LTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB19N10LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道 100V 19A | 搜索库存 |
替代型号FQB19N10LTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB19N10LTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 100V 19A 74mohms | 当前型号 | N沟道 100V 19A | 当前型号 |
| 型号： IRLW530ATM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 100V 14A 120mohms | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3Pin2+Tab D2PAK T/R Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3Pin2+Tab D2PAK T/R Trans MOSFET N-CH... | FQB19N10LTM和IRLW530ATM的区别 |