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LP2997M、LP2997M/NOPB、LP2997MR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LP2997M LP2997M/NOPB LP2997MR

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LP2997M  稳压器, 固定LDO, 2.2V至5.5V输入, 957 mV/500mA输出, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  LP2997M/NOPB  芯片, 稳压器, DDR, 8-SOICTEXAS INSTRUMENTS  LP2997MR  稳压器, 固定LDO, 2.2V至5.5V输入, 957 mV/500mA输出, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 稳压芯片稳压芯片稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 1.80 V -

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) - 5.50V (max) -

输出电压 957 mV 957 mV 957 mV

输出电流 500 mA 500 mA 500 mA

供电电流 320 µA 320 µA 320 µA

针脚数 8 8 8

静态电流 320 µA 320 µA 320 µA

输入电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

输入电压(Min) 2.2 V 2.2 V 2.2 V

输出电压(Max) - 0.99 V -

输出电压(Min) - 0.928 V -

输出电流(Max) - 500 mA -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 2.2V ~ 5.5V 2.2V ~ 5.5V 2.2V ~ 5.5V

输入电压 5.5 V 5.5 V 5.5 V

跌落电压 300 mV - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 2.2 V - -

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.45 mm 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Each

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC