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TLE2021AIDRG4、TLE2021ID、MC33171DT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2021AIDRG4 TLE2021ID MC33171DT

描述 神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLE2021ID  运算放大器, 2 MHz, 1个放大器, 0.65 V/µs, ± 2V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  MC33171DT  运算放大器, 单路, 2.1 MHz, 1个放大器, 2 V/µs, ± 2V 至 ± 22V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - ≤20 mA 27 mA

供电电流 240 µA 240 µA 220 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 8

共模抑制比 85 dB 85 dB 100 dB

带宽 - 2 MHz 2.1 MHz

转换速率 500 mV/μs 500 mV/μs 2.00 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.2 MHz 2.1 MHz

输入补偿电压 80 µV 120 µV 1 mV

输入偏置电流 25 nA 25 nA 20 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 2 MHz 2.1 MHz

共模抑制比(Min) 85 dB 85 dB 80 dB

耗散功率 0.725 W 725 mW -

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

电源电压(DC) - 20.0 V -

电源电压(Max) - 20 V -

高度 - 1.58 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99