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MJE18008、MJE18008G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE18008 MJE18008G

描述 功率晶体管 POWER TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  MJE18008G  单晶体管 双极, NPN, 450 V, 13 MHz, 360 mW, 8 A, 5 hFE 新

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 450 V 450 V

额定电流 8.00 A 8.00 A

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 450 V 450 V

集电极最大允许电流 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 14 @1A, 5V 14 @1A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 34 -

额定功率(Max) 125 W 125 W

频率 - 13 MHz

针脚数 - 3

耗散功率 - 125 W

增益频宽积 - 13 MHz

直流电流增益(hFE) - 34

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 125 W

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.28 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 15.75 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Tube

最小包装 50 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99