MJE18008、MJE18008G对比区别
描述 功率晶体管 POWER TRANSISTORON SEMICONDUCTOR MJE18008G 单晶体管 双极, NPN, 450 V, 13 MHz, 360 mW, 8 A, 5 hFE 新
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 450 V 450 V
额定电流 8.00 A 8.00 A
极性 NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 450 V 450 V
集电极最大允许电流 8A 8A
最小电流放大倍数(hFE) 14 @1A, 5V 14 @1A, 5V
最大电流放大倍数(hFE) 34 -
额定功率(Max) 125 W 125 W
频率 - 13 MHz
针脚数 - 3
耗散功率 - 125 W
增益频宽积 - 13 MHz
直流电流增益(hFE) - 34
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 125 W
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.28 mm
宽度 - 4.83 mm
高度 - 15.75 mm
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Bulk Tube
最小包装 50 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99