2N7002LT3G、VN2210N3-G、2N7002LT1G对比区别

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型号 2N7002LT3G VN2210N3-G 2N7002LT1G

描述 N 通道功率 MOSFET，60V，ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 3Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 115 A - 115 mA

额定功率 - 0.74 W 0.225 W

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 7.5 Ω - 7.5 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 300 mW 1 W 200 mW

阈值电压 2.5 V - 2.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 100 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V - 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 115 mA - 115 mA

正向电压(Max) - - 1.5 V

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW 740 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225mW (Ta) 740mW (Tc) 225mW (Ta)

上升时间 - 10 ns -

下降时间 - 30 ns -

输入电容 50.0 pF - -

长度 3.04 mm 5.21 mm 2.9 mm

宽度 1.4 mm 4.19 mm 1.3 mm

高度 1.01 mm 5.33 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bag Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99