STF13N60M2、STFI13N60M2、STFH13N60M2对比区别
型号 STF13N60M2 STFI13N60M2 STFH13N60M2
描述 N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STFH13N60M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V 新
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-281-3 TO-220-3
通道数 1 1 1
耗散功率 25 W 25 W 25 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
上升时间 10 ns 10 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 580pF @100V(Vds) 580pF @100V(Vds) 580pF @100V(Vds)
下降时间 9.5 ns 9.5 ns 9.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25W (Tc) 25W (Tc) 25 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 380 mΩ - 0.35 Ω
极性 - - N-Channel
漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V
漏源击穿电压 650 V - 600 V
额定功率 25 W - -
长度 10.4 mm 10.4 mm 11.1 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.8 mm
高度 16.4 mm 10.8 mm 16.2 mm
封装 TO-220-3 TO-281-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99