PSMN4R030YL,115、RJK0305DPB-00#J0对比区别

高亮显示差异参数

型号 PSMN4R030YL,115 RJK0305DPB-00#J0

描述 LFPAK N-CH 30V 100ATrans MOSFET N-CH 30V 30A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 LFPAK SOT-669

极性 N-Channel -

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 100 A 30.0 A

上升时间 51 ns -

下降时间 18 ns -

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 - 30.0 A

耗散功率 - 45 W

输入电容 - 1.25 nF

输入电容(Ciss) - 1250pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 45 W

封装 LFPAK SOT-669

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free