PSMN4R030YL,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN4R030YL,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 51 ns
下降时间 18 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 LFPAK
外形尺寸
封装 LFPAK
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN4R030YL,115引脚图与封装图
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在线购买PSMN4R030YL,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN4R030YL,115 | NXP 恩智浦 | LFPAK N-CH 30V 100A | 搜索库存 |
替代型号PSMN4R030YL,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN4R030YL,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： LFPAK N-Channel 30V 100A | 当前型号 | LFPAK N-CH 30V 100A | 当前型号 |
| 型号： HAT2168H-EL-E 品牌： 瑞萨电子 封装： LFPAK 30V 55A 5.18nF | 功能相似 | 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | PSMN4R030YL,115和HAT2168H-EL-E的区别 |
| 型号： RJK0305DPB-00#J0 品牌： 瑞萨电子 封装： LFPAK 30V 30A 1.25nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | PSMN4R030YL,115和RJK0305DPB-00#J0的区别 |