FQD17N08LTF、FQD17N08LTM对比区别

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型号 FQD17N08LTF FQD17N08LTM

描述 N沟道 80V 12.9ATrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V

额定电流 12.9 A 12.9 A

通道数 - 1

漏源极电阻 100 mΩ 100 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V

漏源击穿电压 80.0 V 80.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.9 A 12.9 A

上升时间 290 ns 290 ns

输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W

下降时间 75 ns 75 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc)

宽度 6.22 mm 6.1 mm

高度 2.39 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99