IXXX160N65B4、IXXX160N65C4、APT200GN60B2G对比区别

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型号 IXXX160N65B4 IXXX160N65C4 APT200GN60B2G

描述 Igbt 650V 310A 940W Plus247Igbt 650V 290A 940W Plus247场站IGBT Field Stop IGBT

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

击穿电压(集电极-发射极) 650 V 650 V 600 V

额定功率(Max) 940 W 940 W 682 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 940000 mW 940000 mW 682000 mW

耗散功率 - - 682000 mW

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99