APT200GN60B2G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 682000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 682 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 682000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
APT200GN60B2G | Microsemi 美高森美 | 场站IGBT Field Stop IGBT | 搜索库存 |