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SMUN2240T1G、UNR521000L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMUN2240T1G UNR521000L

描述 数字晶体管( BRT ) R1 = 47千欧, R2 = ? K + Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = kSMini3-G1 NPN 50V 100mA

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Panasonic (松下)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-323

无卤素状态 Halogen Free -

极性 NPN NPN

耗散功率 338 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 120 @5mA, 10V 160 @5mA, 10V

额定功率(Max) 230 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 338 mW -

额定电压(DC) - 50.0 V

额定电流 - 100 mA

封装 SOT-23-3 SOT-323

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -