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TL052IDG4、TL052IDR、TL052ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL052IDG4 TL052IDR TL052ID

描述 增强型JFET低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS增强型JFET低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TL052ID  运算放大器, 双路, 3.6 MHz, 2个放大器, 20 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤80 mA ≤80 mA ≤80 mA

供电电流 4.8 mA 4.8 mA 4.8 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K 6.00 µV/K

带宽 3.00 MHz 3.00 MHz 3.6 MHz

转换速率 20.0 V/μs 20.0 V/μs 20.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz 3 MHz 3 MHz

输入补偿电压 650 µV 650 µV 3.5 mV

输入偏置电流 30 pA 30 pA 30 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压(DC) - - 15.0 V

针脚数 - - 8

共模抑制比 - 65 dB 75dB ~ 93dB

增益带宽 - 3 MHz 3 MHz

电源电压(Max) - - 30 V

电源电压(Min) - - 10 V

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15