2N3500、JANS2N3500、2N3500E3对比区别

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型号 2N3500 JANS2N3500 2N3500E3

描述 抗辐射 RADIATION HARDENEDNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORNPN Transistor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-39-3 TO-205 -

耗散功率 1 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) 120 @150mA, 10V - -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

极性 - NPN -

集电极最大允许电流 - 0.3A -

封装 TO-39-3 TO-205 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 - -