BSP225、BSP126,115、BSP130,115对比区别

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型号 BSP225 BSP126,115 BSP130,115

描述 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistorNXP  BSP126,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 250 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 VNXP  BSP130,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 - TO-261-4 TO-261-4

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 2.8 Ω 6 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 1.5 W 1.5 W

阈值电压 - 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) - 250 V 300 V

连续漏极电流(Ids) - 375 mA 350 mA

输入电容(Ciss) - 120pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.5 W 1.5 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)

封装 - TO-261-4 TO-261-4

长度 - - 6.7 mm

宽度 - - 3.7 mm

高度 - - 1.7 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17