针脚数 3
漏源极电阻 6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 350 mA
输入电容Ciss 120pF @25VVds
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Communications & Networking, Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSP130,115引脚图
BSP130,115封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BSP130,115 | NXP 恩智浦 | NXP BSP130,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSP130,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-223 N-Channel 300V 350mA | 当前型号 | NXP BSP130,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 | |
型号: BSP126,135 品牌: 恩智浦 封装: SOT223 N-Channel 250V 0.375A | 类似代替 | SC-73 N-CH 250V 0.375A | BSP130,115和BSP126,135的区别 | |
型号: STN1HNK60 品牌: 意法半导体 封装: SOT-223 N-Channel 600V 500mA | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V | BSP130,115和STN1HNK60的区别 |