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BSP130,115

BSP130,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BSP130,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V

The is a N-channel enhancement-mode vertical D-MOS Transistor in a miniature package. It is suitable for use in line current interrupter in telephone sets, relay, high-speed and line transformer driver applications.

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Direct interface to C-MOS, TTL
.
High-speed switching
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No secondary breakdown
BSP130,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 350 mA

输入电容Ciss 120pF @25VVds

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Communications & Networking, Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSP130,115引脚图与封装图
BSP130,115引脚图

BSP130,115引脚图

BSP130,115封装焊盘图

BSP130,115封装焊盘图

在线购买BSP130,115
型号 制造商 描述 购买
BSP130,115 NXP 恩智浦 NXP  BSP130,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号BSP130,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP130,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-223 N-Channel 300V 350mA

当前型号

NXP  BSP130,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: BSP126,135

品牌: 恩智浦

封装: SOT223 N-Channel 250V 0.375A

类似代替

SC-73 N-CH 250V 0.375A

BSP130,115和BSP126,135的区别

型号: STN1HNK60

品牌: 意法半导体

封装: SOT-223 N-Channel 600V 500mA

功能相似

STMICROELECTRONICS  STN1HNK60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

BSP130,115和STN1HNK60的区别