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NSS60201LT1G、ZXTN2018FTA、FSB619对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSS60201LT1G ZXTN2018FTA FSB619

描述 ON SEMICONDUCTOR  NSS60201LT1G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 540 mW, 2 A, 100 hFEZXTN2018FTA 编带NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 130 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - 60.0 V 50.0 V

额定电流 - 5.00 A 2.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 540 mW 1.56 W 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 50 V

集电极最大允许电流 2A 5A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 150 @1A, 2V 100 @2A, 1V 200 @1A, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 350 300 @2A, 1V -

额定功率(Max) 460 mW 1.2 W 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 540 mW 1560 mW 500 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 160 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm - 2.92 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 0.94 mm - 0.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99