频率 100 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FSB619 | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FSB619 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-236-3 NPN 50V 2A 0.5W | 当前型号 | NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 | |
型号: FMMT619TA 品牌: 美台 封装: SOT-23 NPN 50V 2A 625mW | 功能相似 | FMMT619TA 编带 | FSB619和FMMT619TA的区别 | |
型号: NSS60201LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 NPN 540mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NSS60201LT1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 540 mW, 2 A, 100 hFE | FSB619和NSS60201LT1G的区别 | |
型号: MSD601-RT1G 品牌: 安森美 封装: SC-59 NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | MSD601-R: NPN 双极晶体管 | FSB619和MSD601-RT1G的区别 |