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FSB619
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 320mV/0.32V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor high current gain 描述与应用| NPN低饱和 高电流增益

FSB619中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 2.00 A

极性 NPN

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.4 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FSB619引脚图与封装图
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在线购买FSB619
型号 制造商 描述 购买
FSB619 Fairchild 飞兆/仙童 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 搜索库存
替代型号FSB619
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FSB619

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-236-3 NPN 50V 2A 0.5W

当前型号

NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

当前型号

型号: FMMT619TA

品牌: 美台

封装: SOT-23 NPN 50V 2A 625mW

功能相似

FMMT619TA 编带

FSB619和FMMT619TA的区别

型号: NSS60201LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 NPN 540mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NSS60201LT1G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 540 mW, 2 A, 100 hFE

FSB619和NSS60201LT1G的区别

型号: MSD601-RT1G

品牌: 安森美

封装: SC-59 NPN 50V 100mA 200mW

功能相似

MSD601-R: NPN 双极晶体管

FSB619和MSD601-RT1G的区别