PBSS9110D、PBSS9110D,115对比区别

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型号 PBSS9110D PBSS9110D,115

描述 Small Signal Bipolar TransistorPBSS9110D 系列 100 V 1 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat 晶体管 - TSOP-6

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount

封装 - TSOP-6

引脚数 - -

极性 - PNP

耗散功率 - 700 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 100 V

集电极最大允许电流 - 1A

最小电流放大倍数(hFE) - 150 @500mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 150 @1mA, 5V

额定功率(Max) - 700 mW

耗散功率(Max) - 700 mW

额定功率 - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

封装 - TSOP-6

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free