PBSS9110D,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS9110D,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 700 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V
额定功率Max 700 mW
耗散功率Max 700 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP-6
外形尺寸
封装 TSOP-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBSS9110D,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS9110D,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS9110D,115 | NXP 恩智浦 | PBSS9110D 系列 100 V 1 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat 晶体管 - TSOP-6 | 搜索库存 |
替代型号PBSS9110D,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS9110D,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： 6TSOP PNP 700mW | 当前型号 | PBSS9110D 系列 100 V 1 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat 晶体管 - TSOP-6 | 当前型号 |
| 型号： PBSS9110D 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor | PBSS9110D,115和PBSS9110D的区别 |