TLV271IP、TLV272IDR、TLV272CDR对比区别

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型号 TLV271IP TLV272IDR TLV272CDR

描述 BiMOS/BiCMOS 运算放大器，TLV/LMV 系列### 运算放大器，Texas InstrumentsBiMOS/BiCMOS 运算放大器，TLV/LMV 系列### 运算放大器，Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS  TLV272CDR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 7mA @5V 7mA @5V 7mA @5V

供电电流 625 µA 625 µA 625 µA

电路数 1 2 2

通道数 1 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 0.625 W 0.396 W 0.396 W

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 3 MHz 3 MHz 3 MHz

转换速率 2.10 V/μs 2.10 V/μs 2.10 V/μs

增益频宽积 3 MHz 3 MHz 3 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 3 MHz 3 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) 625 mW 396 mW 396 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 2.7V ~ 16V - 2.7V ~ 16V

长度 9.81 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 6.35 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 4.57 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 DIP-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15