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KST05MTF、MMBT6429LT1、MMBT6429LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KST05MTF MMBT6429LT1 MMBT6429LT1G

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR  MMBT6429LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 700 MHz 700 MHz

额定电压(DC) 60.0 V 50.0 V 45.0 V

额定电流 500 mA 200 mA 200 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 0.3 W 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 500 @100µA, 5V 500

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 500

长度 2.92 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 0.94 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99