NTD20N03L27-1G、NTD20N03L27T4G、MTD20N03HDLT4对比区别

高亮显示差异参数

型号 NTD20N03L27-1G NTD20N03L27T4G MTD20N03HDLT4

描述 20A,30V,N沟道MOSFETON SEMICONDUCTOR  NTD20N03L27T4G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSSDPAK N-CH 30V 20A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-251-3 TO-252-3 DPAK-252

极性 N-Channel N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A 20A

上升时间 137 ns 137 ns 212 ns

输入电容(Ciss) 1260pF @25V(Vds) 1260pF @25V(Vds) 880pF @25V(Vds)

下降时间 31 ns 31 ns 84 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.75W (Ta), 74W (Tc) 1.75W (Ta), 74W (Tc) 74000 mW

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 20.0 A 20.0 A -

漏源极电阻 27.0 mΩ 0.023 Ω -

耗散功率 1.75W (Ta), 74W (Tc) 74 W -

输入电容 1.26 nF - -

栅电荷 18.9 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 4 -

阈值电压 - 1.6 V -

封装 TO-251-3 TO-252-3 DPAK-252

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -