锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SUD50N06-07L-GE3、SUD50N06-09L-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SUD50N06-07L-GE3 SUD50N06-09L-E3

描述 VISHAY  SUD50N06-07L-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1 VVISHAY  SUD50N06-09L-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252 TO-252

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.0061 Ω 0.0074 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 136 W 136 W

阈值电压 1 V 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

连续漏极电流(Ids) - 50.0 A

上升时间 - 15 ns

下降时间 - 20 ns

封装 TO-252 TO-252

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃

包装方式 - Cut Tape (CT)