SUD50N06-07L-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0061 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SUD50N06-07L-GE3引脚图与封装图
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在线购买SUD50N06-07L-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUD50N06-07L-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SUD50N06-07L-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号SUD50N06-07L-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUD50N06-07L-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-252 N-Channel | 当前型号 | VISHAY SUD50N06-07L-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： SUD50N06-09L-E3 品牌： 威世 封装： TO-252 N-Channel 60V 50A 12.2mohms | 类似代替 | VISHAY SUD50N06-09L-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2 V | SUD50N06-07L-GE3和SUD50N06-09L-E3的区别 |