FDB8443、SI7456DP-T1对比区别

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型号 FDB8443 SI7456DP-T1

描述 N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFETN-channel 100V (d-s) Mosfet

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount -

封装 TO-263-3 -

引脚数 - -

极性 N-CH -

耗散功率 188 W -

漏源极电压(Vds) 40 V -

连续漏极电流(Ids) 25A -

输入电容(Ciss) 9310pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 188 W -

耗散功率(Max) 188W (Tc) -

上升时间 - -

下降时间 - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

封装 TO-263-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 - -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -