FDB8443
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 188 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 25A
输入电容Ciss 9310pF @25VVds
额定功率Max 188 W
耗散功率Max 188W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDB8443 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDB8443 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: D2PAK N-CH 40V 25A | 当前型号 | N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | 当前型号 | |
型号: SI7456DP-T1 品牌: Vishay Intertechnology 封装: | 功能相似 | N-channel 100V d-s Mosfet | FDB8443和SI7456DP-T1的区别 |