OP200GPZ、OP2177ARZ、NE5532NG对比区别

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型号 OP200GPZ OP2177ARZ NE5532NG

描述 ANALOG DEVICES  OP200GPZ  运算放大器, 双路, 500 kHz, 2个放大器, 0.15 V/µs, ± 3V 至 ± 18V, DIP, 8 引脚ANALOG DEVICES  OP2177ARZ  运算放大器, 双路, 1.3 MHz, 2个放大器, 0.7 V/µs, ± 2.5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR  NE5532NG  芯片, 运算放大器, 10MHZ, 9V/uS, DIP-8

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 DIP-8

供电电流 570 µA 400 µA 8 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 66 mW - 1.2 W

共模抑制比 130 dB 120 dB 70 dB

带宽 500 kHz 1.3 MHz 10 MHz

转换速率 150 mV/μs 700 mV/μs 9.00 V/μs

增益频宽积 500 kHz 1.3 MHz 10 MHz

输入补偿电压 80 µV 15 µV 500 µV

输入偏置电流 100 pA 500 pA 200 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

耗散功率(Max) - - 1200 mW

共模抑制比(Min) 110 dB 120 dB 70 dB

电源电压(DC) 15.0 V 15.0 V -

工作电压 3V ~ 18V 2.5V ~ 15V -

输入阻抗 125 GΩ 1.00 GΩ -

增益带宽 0.5 MHz 1.3 MHz -

电源电压(Max) 18 V 15 V -

电源电压(Min) 3 V - -

封装 DIP-8 SOIC-8 DIP-8

长度 9.27 mm 5 mm -

宽度 6.35 mm 4 mm -

高度 3.3 mm 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

军工级 Yes No -

REACH SVHC版本 2017/07/07 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99