RFD3055LESM、RFD3055LESM9A对比区别

高亮显示差异参数

型号 RFD3055LESM RFD3055LESM9A

描述 11A ， 60V ， 0.107欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD3055LESM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.107 ohm, 5 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 107 mΩ 0.107 Ω

耗散功率 38 W 38 W

阈值电压 - 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

上升时间 105 ns 105 ns

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 38 W 38 W

下降时间 39 ns 39 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 38W (Tc) 38W (Tc)

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V

额定电流 11.0 A 11.0 A

通道数 - 1

极性 N-Channel N-Channel

输入电容 350 pF 350 pF

栅电荷 9.40 nC 9.40 nC

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A, 11.0 mA

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

材质 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99