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BC546-C、BC546CBU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC546-C BC546CBU

描述 NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/AMMOTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-92 TO-226-3

安装方式 - Through Hole

封装 TO-92 TO-226-3

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

额定电压(DC) - 65.0 V

额定电流 - 100 mA

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 500 mW

工作温度 - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99