额定电压DC 65.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC546CBU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 65V 100mA | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk | 当前型号 | |
型号: BC546CTA 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 65V 100mA 0.5W | 完全替代 | NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | BC546CBU和BC546CTA的区别 | |
型号: BC546-C 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/AMMO | BC546CBU和BC546-C的区别 |