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ATP102、ATP102-TL-H对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ATP102 ATP102-TL-H

描述 DPAK(Single Gauge)/ATPAK P-CH -30V -40A 31mΩ40A,-30V,P沟道MOSFET

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 DPAK TO-252-3

无卤素状态 - Halogen Free

通道数 - 1

漏源极电阻 31 mΩ 18.5 mΩ

极性 P-CH P-Channel

耗散功率 40 W 40 W

漏源极电压(Vds) -30V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

上升时间 - 135 ns

输入电容(Ciss) - 1490pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 40 W

下降时间 - 185 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 40W (Tc)

阈值电压 -2.6V -

连续漏极电流(Ids) -40A -

长度 - 6.5 mm

宽度 - 7.3 mm

高度 - 1.5 mm

封装 DPAK TO-252-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 -

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free