APT8015JVFR、APT8015JVR、IXFN60N80P对比区别

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型号 APT8015JVFR APT8015JVR IXFN60N80P

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 44A 4Pin SOT-227SOT-227 N-CH 800V 44AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN60N80P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 800 V, 140 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Screw Screw Panel

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227 SOT-227 SOT-227-4

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 44.0 A 44.0 A -

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 700 W 700 W 1.04 kW

输入电容 17.6 nF 17.6 nF -

栅电荷 1.04 µC 1.04 µC -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 44.0 A 44.0 A 60.0 A

上升时间 20 ns 20 ns 29 ns

输入电容(Ciss) 14715pF @25V(Vds) 14715pF @25V(Vds) 18000pF @25V(Vds)

下降时间 15 ns 15 ns 26 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 700000 mW 700000 mW 1040W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 140 mΩ

阈值电压 - - 5 V

漏源击穿电压 - - 800 V

额定功率(Max) - - 1040 W

封装 SOT-227 SOT-227 SOT-227-4

长度 - - 38.23 mm

宽度 - - 25.42 mm

高度 - - 9.6 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)