APT8015JVR
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT8015JVR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 44.0 A
极性 N-CH
耗散功率 700 W
输入电容 17.6 nF
栅电荷 1.04 µC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 44.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 14715pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
外形尺寸
封装 SOT-227
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT8015JVR引脚图与封装图
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在线购买APT8015JVR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT8015JVR | Microsemi 美高森美 | SOT-227 N-CH 800V 44A | 搜索库存 |
替代型号APT8015JVR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT8015JVR 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 800V 44A 17.6nF | 当前型号 | SOT-227 N-CH 800V 44A | 当前型号 |
| 型号： APT8015JVFR 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 800V 44A 17.6nF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 800V 44A 4Pin SOT-227 | APT8015JVR和APT8015JVFR的区别 |
| 型号： APT8020JLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 800V 33A 5.2nF | 类似代替 | SOT-227 N-CH 800V 33A | APT8015JVR和APT8020JLL的区别 |
| 型号： APT8014JLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 800V 42A 7.24nF | 类似代替 | SOT-227 N-CH 800V 42A | APT8015JVR和APT8014JLL的区别 |