2N2906AL、JANTX2N2906A、JAN2N2906A对比区别

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型号 2N2906AL JANTX2N2906A JAN2N2906A

描述 抗辐射 RADIATION HARDENEDPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTORPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-18-3 TO-18-3 TO-18-3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 500 mW 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

封装 TO-18-3 TO-18-3 TO-18-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -