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BAV70LT1G、BAV70TT1G、BAV70DXV6T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAV70LT1G BAV70TT1G BAV70DXV6T1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAV70LT1G  二极管 小信号, 双共阴极, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mAON SEMICONDUCTOR  BAV70TT1G  二极管 小信号, 共阴极, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA单片双开关二极管共阴极 Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管阵列二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SC-75-3 SOT-563-6

额定电压(DC) 70.0 V 70.0 V 70.0 V

额定电流 200 mA 200 mA 200 mA

电容 1.50 pF - -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

负载电流 0.2 A - -

针脚数 3 3 -

正向电压 1.25 V 1.25V @150mA 1.25V @150mA

耗散功率 300 mW 225 mW 357 mW

反向恢复时间 6 ns 6 ns 6 ns

正向电流 200 mA 200 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 500 mA 500 mA -

正向电压(Max) 1.25 V 1.25 V 1.25V @150mA

正向电流(Max) 200 mA 0.2 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW 360 mW -

长度 2.9 mm 1.65 mm 1.6 mm

宽度 1.3 mm 0.9 mm 1.2 mm

高度 0.94 mm 0.9 mm 0.55 mm

封装 SOT-23-3 SC-75-3 SOT-563-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -