锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRFR210BTF_FP001、IRFR210BTM_FP001、IRFR210对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR210BTF_FP001 IRFR210BTM_FP001 IRFR210

描述 MOSFET 200V N-Ch B-FETTrans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RPower Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-252 TO-252-3 -

漏源极电阻 1.50 Ω 1.50 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.50 W 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

漏源击穿电压 200 V 200 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.70 A 2.70 A -

输入电容(Ciss) - 225pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 26W (Tc) -

封装 TO-252 TO-252-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -