漏源极电阻 1.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.70 A
输入电容Ciss 225pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 26W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRFR210BTM_FP001 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRFR210BTM_FP001 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 200V 2.7A 1.5ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 | |
型号: IRFR210TRPBF 品牌: 威世 封装: TO-252-3 N-Channel 200V 2.6A 1.5Ω | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IRFR210BTM_FP001和IRFR210TRPBF的区别 | |
型号: IRFR210PBF 品牌: 威世 封装: TO-252 N-Channel 200V 2.6A 1.5Ω | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IRFR210BTM_FP001和IRFR210PBF的区别 | |
型号: IRFR210BTF_FP001 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 200V 2.7A 1.5Ω | 功能相似 | MOSFET 200V N-Ch B-FET | IRFR210BTM_FP001和IRFR210BTF_FP001的区别 |